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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种抑制动态电阻变化的GaNHEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括金刚石绝缘衬底，所述金刚石绝缘衬底位于该器件的最底端，所述金刚石绝缘衬底的上方设置有不掺杂GaN，所述不掺杂GaN的上方设置有AlxGa1‑xN，所述AlxGa1‑xN的上方设置有n型GaN，所述n型GaN上方的两侧分别设置有源极金属和漏极金属，所述n型GaN上方的中心处设置有p型GaN，所述p型GaN的上方设置有栅极金属。该器件结构及其制备方法，通过结合器件结构和材料掺杂特性实现了器件在零偏条件下的关断，抑制2DEG受AlxGa1‑xN和n型GaN界面缺陷导致的动态电阻变化，提高器件的稳定性。
主权项：1.一种抑制动态电阻变化的GaNHEMT器件结构，其特征在于，包括金刚石绝缘衬底，所述金刚石绝缘衬底位于该器件的最底端，所述金刚石绝缘衬底的上方设置有不掺杂GaN，所述不掺杂GaN的上方设置有AlxGa1-xN，所述AlxGa1-xN的上方设置有n型GaN，所述n型GaN上方的两侧分别设置有源极金属和漏极金属；所述n型GaN上方的中心处设置有p型GaN，所述p型GaN的上方设置有栅极金属；所述n型GaN中还设置有2DEG，所述n型GaN和2DEG为器件结构的双重导电沟道，用于降低器件结构的导通电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种抑制动态电阻变化的GaN HEMT器件结构及其制备方法
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