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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
摘要：本发明提出了隧穿增强型垂直结构的HEMT器件。该HEMT器件包括：衬底；缓冲层，设置在衬底的一个表面上；电流阻挡层，设置在缓冲层远离衬底的表面；沟道层，覆盖防扩散层、电流阻挡层和部分的缓冲层；势垒层，设置在沟道层远离衬底的表面；防扩散层，设置在电流阻挡层与势垒层之间；源极，设置在沟道层远离电流阻挡层的表面且具有第一延伸部，且第一延伸部覆盖部分的势垒层的表面并与势垒层形成肖特基接触；绝缘介质层，覆盖部分的势垒层和另一部分的缓冲层；栅极，设置在绝缘介质层远离缓冲层的表面且设置在源极的两侧；漏极，设置在衬底远离缓冲层的表面。本发明的垂直结构的HEMT器件，将源极与势垒层在水平方向上的接触面积延长，且延长部分金属与势垒层形成肖特基接触，以提高器件的反向阻断性。
主权项：1.一种隧穿增强型垂直结构的HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底的一个表面上；电流阻挡层，所述电流阻挡层设置在缓冲层远离所述衬底的表面；沟道层，所述沟道层覆盖防扩散层、所述电流阻挡层和部分的所述缓冲层；势垒层，所述势垒层设置在所述沟道层远离所述衬底的表面；防扩散层，所述防扩散层设置在所述电流阻挡层与所述势垒层之间；源极，所述源极设置在所述沟道层远离所述电流阻挡层的表面，且所述源极具有第一延伸部，且所述第一延伸部覆盖部分的所述势垒层的表面并与所述势垒层形成肖特基接触；绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖部分的所述势垒层和另一部分的所述缓冲层；栅极，所述栅极设置在所述绝缘介质层远离所述缓冲层的表面，且设置在所述源极的两侧；漏极，所述漏极设置在所述衬底远离所述缓冲层的表面。
全文数据：
权利要求：
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