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申请/专利权人：拉碧斯半导体株式会社
摘要：半导体器件包括：半导体基底，所述半导体基底具有其上形成有沟槽部的一个主表面；形成在沟槽部中的复数个熔丝布线；金属布线，所述金属布线设置在与沟槽部隔开的位置处并在一个主表面上暴露；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜覆盖一个主表面并且具有使复数个熔丝布线暴露的第一开口和使金属布线暴露的第二开口；聚合物绝缘膜，所述聚合物绝缘膜在第一开口中以掩埋沟槽部中的复数个熔丝布线；第一金属部，所述第一金属部覆盖聚合物绝缘膜；第二金属部，所述第二金属部延伸为覆盖金属布线的在第二开口中暴露的表面和第一绝缘膜的在第二开口的外围边缘的表面；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜掩埋聚合物绝缘膜的上表面上的第一金属部并覆盖第二金属部以使其上表面部分地暴露；以及第三金属部，所述第三金属部处于从第二金属部的由第二绝缘膜暴露的上表面至第二绝缘膜的上表面。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有其上形成有沟槽部的一个主表面；形成在所述沟槽部中的复数个熔丝布线；金属布线，所述金属布线设置在与所述一个主表面的所述沟槽部隔开的位置处并在所述一个主表面上暴露；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成为覆盖所述一个主表面并且具有使所述复数个熔丝布线暴露的第一开口和使所述金属布线暴露的第二开口；聚合物绝缘膜，所述聚合物绝缘膜形成在所述第一开口中以掩埋所述沟槽部中的所述复数个熔丝布线；第一金属部，所述第一金属部形成为覆盖所述聚合物绝缘膜；第二金属部，所述第二金属部延伸为覆盖所述金属布线的在所述第二开口中暴露的表面和所述第一绝缘膜的在所述第二开口的外围边缘的表面；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜掩埋所述聚合物绝缘膜的上表面上的所述第一金属部并覆盖所述第二金属部以使所述第二金属部的上表面部分地暴露；以及第三金属部，所述第三金属部处于从所述第二金属部的由所述第二绝缘膜暴露的上表面至所述第二绝缘膜的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉碧斯半导体株式会社 半导体器件和半导体器件的制造方法
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