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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：功率半导体器件包括半导体衬底，其具有有源区和半导体衬底的有源区与侧边缘之间的边缘终止区。多个非金属电极在半导体衬底的前侧上在边缘终止区中延伸。非金属电极包括至少三个彼此间隔开的非金属电极，其中非金属电极之一是具有内边缘的内非金属电极并且非金属电极中的另一个是具有外边缘的外非金属电极，其中内非金属电极的内边缘与大部分非金属电极的外边缘之间的最短距离定义为距离p。每个非金属电极通过至少两个相应的金属塞子电连接到半导体衬底的相应掺杂区，每个金属塞子延伸穿过形成在电绝缘底层中的相应第一开口，其中不同非金属电极的任何两个金属塞子之间的最短距离d大于距离p。
主权项：1.一种功率半导体器件，包括：半导体衬底110，包括限定半导体器件100的有源区103的中央区域和半导体衬底110的中央区域与侧边缘105之间的外围区域，外围区域限定半导体器件100的边缘终止区104；多个非金属电极120，在半导体衬底110的前侧111上在边缘终止区104中延伸，多个非金属电极120包括彼此间隔开的至少三个非金属电极120，其中非金属电极120之一是具有内边缘的内非金属电极121并且非金属电极120中的另一个是具有外边缘的外非金属电极124，其中内非金属电极121的内边缘与大部分非金属电极124的外边缘之间的最短距离被定义为距离p；电绝缘底层130，被布置在半导体衬底110和多个非金属电极120之间；非金属电极120，121，122，123，124中的每个通过每个延伸穿过形成在电绝缘底层130中的相应第一开口131的至少两个相应的金属塞子140，141，142，143，144电连接到半导体衬底110的相应掺杂区160，161，162，163，164，其中不同的非金属电极120，121，122，123，124的金属塞子141，142中的任何两个之间的最短距离d大于距离p；和电绝缘覆盖层133，其在多个非金属电极120，121，122的上表面上并与之接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 功率半导体器件
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