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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开一种用于辐照损伤检测的GaNHEMT器件及其检测和制作方法，属于半导体辐照损伤检测分析领域。本发明在势垒层顶面设有p型氮化镓层，p型氮化镓层内外两侧的氮化镓层顶面分别设有漏极和源极，p型氮化镓层顶面设有肖特基金属层，p型氮化两侧的势垒层顶面分别设有第一欧姆金属层和第二欧姆金属层，第二欧姆金属层包括互为叉指的内齿轮电极和外齿轮电极。本发明采用电致发光对辐照前后的GaNHEMT器件在垂直方向与水平方向上分别采集发光波长、强度和区域的数据，对辐照前后的两组数据进行比对分析，确认缺陷在各自区域产生的类型。本发明能够从不同维度监测GaNHEMT器件在辐照前后的变化，从而识别缺陷在器件各层及区域的产生类型和分布情况。
主权项：1.一种用于辐照损伤检测的GaNHEMT器件，包括衬底层（1）、氮化镓层（2）、势垒层（3）和介质层，所述势垒层（3）顶面设有环状的p型氮化镓层（4），其特征在于：所述p型氮化镓层内外两侧的所述氮化镓层（2）顶面分别设有环状的透明漏极（5）和透明源极（6），所述p型氮化镓层（4）顶面设有环状的半透明肖特基金属层（7），所述源极（6）与所述p型氮化镓层之间的所述势垒层（3）顶面设有环状的透明第一欧姆金属层（8），所述漏极（5）与所述p型氮化镓层（4）之间的所述势垒层（3）顶面设有环状的透明第二欧姆金属层（9），所述第二欧姆金属层（9）包括多个互为叉指的内齿轮电极（901）和外齿轮电极（902），所述内齿轮电极（901）和外齿轮电极（902）之间具有间隔；透明第一欧姆金属层（8）和透明第二欧姆金属层（9）均为ITO的透明电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 用于辐照损伤检测的GaN HEMT器件及其检测和制作方法
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