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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
摘要：本发明公开一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法，包括：对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干；所述GaN基HEMT器件是Ga极性的；将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上，使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层，并所述多层胶粘层的胶层总厚度大于厚度阈值；对所述GaN基HEMT器件先后进行温度为第一加热阈值、第二加热阈值的热烘，完成固化；将所述衬底从所述GaN基HEMT器件上去除，把所述GaN基HEMT器件转移到去离子水中进行清洗；对所述GaN基HEMT器件进行倒装完成极性转化后，将所述GaN基HEMT器件转移到新的柔性衬底上。本发明实施例通过引入一定厚度的胶粘层，支撑和保护GaN基HEMT器件在衬底剥离和整个柔性转移的过程中不被应力破坏。
主权项：1.一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法，其特征在于，包括：对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干；所述GaN基HEMT器件是Ga极性的；将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上，使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层，并所述多层胶粘层的胶层总厚度大于厚度阈值；所述厚度阈值为100μm；对所述GaN基HEMT器件进行温度为第一加热阈值的热烘，完成初步固化；对所述GaN基HEMT器件进行温度为第二加热阈值的热烘，完成不可逆热固化；所述第二加热阈值的热烘大于第一加热阈值；将所述衬底从所述GaN基HEMT器件上去除，把所述GaN基HEMT器件转移到去离子水中进行清洗；对所述GaN基HEMT器件进行倒装完成极性转化后，将所述GaN基HEMT器件转移到新的柔性衬底上。
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权利要求：
百度查询： 广东省科学院半导体研究所 基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法
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