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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：一种提高GaNHEMT器件抗单粒子烧毁能力的结构涉及功率半导体器件及抗辐照加固领域。在衬底上外延生长GaN缓冲层A。缓冲层A厚度为1μm到3μm；在GaN缓冲层A上生长一层AlGaN层，AlGaN层厚度为20nm到200nm，然后继续外延生长GaN缓冲层B，缓冲层B厚度为10nm到20nm，外延生长P‑GaN层，P‑GaN层厚度为20nm到40nm，便形成P‑GaNGaNAlGaN的二维空穴气插入层；在二维空穴气插入层上继续外延生长GaN缓冲层C,缓冲层C厚度为100nm到200nm,缓冲层C上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上生长了漏极、栅极和源极。本发明通过对单粒子入射后产生的离化电荷输运和复合进行调制，从而显著提高GaNHEMT的抗单粒子能力。
主权项：1.一种提高GaNHEMT器件抗单粒子烧毁能力的结构，其特征在于：在衬底上外延生长GaN缓冲层A,缓冲层A厚度为1μm到3μm；在GaN缓冲层A上生长一层AlGaN层，AlGaN层厚度为20nm到200nm，然后继续外延生长GaN缓冲层B，缓冲层B厚度为10nm到20nm，外延生长P-GaN层，P-GaN层厚度为20nm到40nm，便形成P-GaNGaNAlGaN的二维空穴气插入层；在二维空穴气插入层上继续外延生长GaN缓冲层C,缓冲层C厚度为100nm到200nm,缓冲层C上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上生长了漏极、栅极和源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种提高GaN HEMT器件抗单粒子烧毁能力的结构
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