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申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日：2023-08-16
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN117118387B
主分类号：H03H9/17
分类号：H03H9/17;H03H9/02;H03H9/05;H03H3/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开
摘要：本申请公开了一种谐振器及其制备方法、外延膜转移方法和滤波器。其中，谐振器包括：支撑衬底、第一键合层、第二键合层，单晶压电薄膜、底电极和顶电极；支撑衬底具有一凹槽，凹槽开设在第一表面，并包括深度不同的多个子凹槽；第一键合层设置于凹槽内；第二键合层设置于第一键合层远离支撑衬底的一侧，与支撑衬底和第一键合层键合；单晶压电薄膜设置于第二键合层远离第一键合层的一侧；底电极设置在单晶压电薄膜靠近第二键合层的一侧；顶电极设置在单晶压电薄膜远离第二键合层的一侧。通过上述方式，第一键合层与支撑衬底的交界面可以给泄露的声波能量提供多重反射，改善声波能量自谐振区向非谐振区的泄漏情况，提高谐振器性能。
主权项：1.一种谐振器，包括：支撑衬底，具有凹槽，所述凹槽开设在所述支撑衬底的第一表面，所述凹槽包括深度不同的多个子凹槽；第一键合层，设置于所述凹槽内；第二键合层，设置于所述第一键合层远离所述支撑衬底的一侧，并分别与所述支撑衬底和所述第一键合层的所述第一表面键合；所述第二键合层具有腔体；单晶压电薄膜，设置于所述第二键合层远离所述第一键合层的一侧，设置于所述第二键合层上，并且所述单晶压电薄膜至少部分与所述第二键合层接触；底电极，设置在所述单晶压电薄膜靠近所述第二键合层的一侧；和顶电极，设置在所述单晶压电薄膜远离所述第二键合层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 谐振器及其制备方法、外延膜转移方法和滤波器
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