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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片、制备方法及LED芯片，发光二极管外延片包括硅衬底及在硅衬底依次沉积的复合缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型GaN层，复合缓冲层包括自下而上的复合二维结构缓冲层及氮化物缓冲层，复合二维结构缓冲层包括自下而上的MoS2二维过渡层及六方h‑BN层，氮化物缓冲层包括自下而上的点缺陷调控层及Ga极性GaN层。通过在硅衬底及N型GaN层之间设置复合缓冲层，通过在复合缓冲层中设计复合二维结构缓冲层及氮化物缓冲层，解决硅衬底受晶格失配和热失配导致外延缺陷过多和应力龟裂问题，提升发光二极管外延层晶体质量，进而提升发光二极管的内量子效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括硅衬底及在所述硅衬底依次沉积的复合缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型GaN层，所述复合缓冲层包括自下而上的复合二维结构缓冲层及氮化物缓冲层，所述复合二维结构缓冲层包括自下而上的MoS2二维过渡层及六方h-BN层，所述氮化物缓冲层包括自下而上的点缺陷调控层及Ga极性GaN层，所述点缺陷调控层为周期层叠的AlN层及AlaGa（1-a）N层，所述AlaGa（1-a）N层中a的取值范围为0.1~0.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片、制备方法及LED芯片
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