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申请/专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种含超晶格外延插入的外延片及其制备方法、晶体管，所述外延片包括：衬底，衬底为硅衬底；外延层，外延层位于衬底之上，外延层为多层结构，外延层的最下层为成核层；外延插入层，外延插入层位于衬底与外延层之间，外延插入层包括自下而上依次层叠的第一至第M个超晶格层及碳化硅层，其中，每个超晶格层由SiCx子层和SiCy子层周期性地交替层叠构成，第i+1个超晶格层中C的平均含量大于第i个超晶格层中C的平均含量。本发明能够在提高外延层质量的同时，有效降低最终制成的射频器件的射频损耗。
主权项：1.一种含超晶格外延插入的外延片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为硅衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底之上，所述外延层为多层结构，所述外延层的最下层为成核层；外延插入层，所述外延插入层位于所述衬底与所述外延层之间，所述外延插入层包括自下而上依次层叠的第一至第M个超晶格层及碳化硅层，其中，每个超晶格层由SiCx子层和SiCy子层周期性地交替层叠构成，第i+1个超晶格层中C的平均含量大于第i个超晶格层中C的平均含量，M为大于1的整数，i为小于M的正整数，x、y的取值范围为[0，1]，且在同一个超晶格层中x、y的取值不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥欧益睿芯科技有限公司 含超晶格外延插入的外延片及其制备方法、晶体管
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