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申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种用于生长高均一性外延片的石墨盘及用于外延生长的装置，属于外延片生长技术领域。该石墨盘包括：石墨盘本体，所述石墨盘本体的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽边缘至凹槽中心设置有3‑6个台阶，所述台阶的高度小于所述凹槽的高度，且所述台阶的高度自凹槽边缘向凹槽中心逐级递减，所述台阶为石墨材质。该石墨盘专门针对中心温度高而边缘温度低的温场进行设计，通过在凹槽内设置3‑6个台阶，能够降低外延中心与边缘的温度差，使得外延片的厚度和掺杂可控，得到高均一性的外延片。
主权项：1.一种用于生长高均一性外延片的石墨盘，其特征在于，包括：石墨盘本体，所述石墨盘本体的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽边缘至凹槽中心设置有3-6个台阶，所述台阶的高度小于所述凹槽的高度，且所述台阶的高度自凹槽边缘向凹槽中心逐级递减，所述台阶为石墨材质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种用于生长高均一性外延片的石墨盘及用于外延生长的装置
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