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申请/专利权人：伯恩半导体(河南)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种超低容TVS的外延层结构，属于电子元器件技术领域。该超低容TVS的外延层结构，包括TVS结构和防护结构。所述TVS结构包括TVS件、极耳件和外壳件，所述极耳件焊接在所述TVS件的两侧，所述外壳件设置在所述TVS件的外部，所述TVS件包括N型接触层、介质层一、介质层二和P型接触层，所述介质层一和介质层二设置在所述N型接触层和P型接触层之间，所述N型接触层和介质层一之间设置有低掺杂n型外延层，所述介质层一和介质层二之间设置有多量子阱层和夹层，所述介质层二和P型接触层之间设置有P型正外廷层。本实用新型提高超低容TVS的外延层结构的电阻率，避免外界强电流或电磁干扰对TVS二极管，提高超低容TVS二极管的工作稳定性。
主权项：1.一种超低容TVS的外延层结构，其特征在于，包括TVS结构100，所述TVS结构100包括TVS件110、极耳件120和外壳件130，所述极耳件120焊接在所述TVS件110的两侧，所述外壳件130设置在所述TVS件110的外部，所述TVS件110包括N型接触层111、介质层一113、介质层二116和P型接触层118，所述介质层一113和介质层二116设置在所述N型接触层111和P型接触层118之间，所述N型接触层111和介质层一113之间设置有低掺杂n型外延层112，所述介质层一113和介质层二116之间设置有多量子阱层114和夹层115，所述介质层二116和P型接触层118之间设置有P型正外廷层117，所述P型接触层118的底部设置有底衬119；防护结构200，所述防护结构200包括防护壳件210、防护件220和散热件230，所述防护壳件210包括屏蔽层211，所述屏蔽层211的外部设置有屏蔽层211，所述屏蔽层211的外部设置有耐高温层212，所述耐高温层212的外层设置有防电磁干扰层213，所述防电磁干扰层213的外层设置有抗高压层214，所述抗高压层214的外层设置有加强层215，所述加强层215的外层设置有耐腐蚀层一216，所述防护件220设置在所述极耳件120的外部，所述散热件230设置在所述TVS件110的底部。
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