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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明提供一种外延结构及其制备方法和双色LED器件，所述外延结构中多量子阱层包括周期性交叠设置的凸台InGaN层和凸台GaN层；所述凸台InGaN层包括第一区域和第二区域；所述第一区域包括与所述衬底面平行的区域；所述第二区域包括与衬底所在平面之间二面角为钝角的区域；所述第一区域和第二区域中In组分的含量不同；所述外延结构的制备方法通过在含不连续SiNx膜层和周期性凸台结构的n型GaN层表面继续生长多量子阱层，能够在单层上形成In组分含量不同的区域，使得外延结构发射双色光，从而能够发射白光，提高了出光效率也能够避免光刻等技术的使用，降低了生产成本。
主权项：1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长GaN，形成基础n型GaN层；在所述基础n型GaN层的表面生长连续SiNx膜层；对所述连续SiNx膜层进行选择性刻蚀，形成不连续SiNx膜层；在未被所述不连续SiNx膜层覆盖的区域继续生长GaN，形成分立设置的凸台结构，进而得到含凸台结构的n型GaN层；其中，所述凸台结构含有极性面和半极性面，所述极性面为所述凸台结构中与所述衬底面平行的面，所述半极性面为与所述衬底所在平面之间的二面角为钝角的面；在所述含凸台结构的n型GaN层上周期性生长凸台InGaN层和凸台GaN层，形成多量子阱层；所述凸台InGaN层包括第一区域和第二区域；所述第一区域包括与所述衬底面平行的区域；所述第二区域包括与衬底所在平面之间的二面角为钝角的区域；所述第一区域和第二区域中In组分的含量不同；在所述多量子阱层上生长电子阻挡层；在所述电子阻挡层上生长p型氮化物层，所述p型氮化物层为相接设置的凸台结构；所述不连续SiNx膜层的厚度为4~10nm；所述不连续SiNx膜层的孔洞密度为1×108~5×108cm-2；所述凸台结构的高度为100~250nm。
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权利要求：
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