龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
摘要：本发明涉及一种N型SiC外延片及其制备方法。该N型SiC外延片的制备方法，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉的反应腔室内；先向反应腔室通入硅源气体1s‑30s，然后向反应腔室通入混合气体1s‑30s，循环上述步骤直至形成第一缓冲层，混合气体包括碳源和N2；向反应腔室同时通入硅源气体和混合气体，在第一缓冲层的表面形成第二缓冲层；在第二缓冲层的表面形成外延层并对外延层进行N掺杂，得到N型SiC外延片。该N型SiC外延片的制备方法能够使SiC主要以台阶流动生长模式进行外延生长，很好的避免了三角形缺陷的产生，提高了制得的N型SiC外延片的质量。
主权项：1.一种N型SiC外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉的反应腔室内，所述反应腔室的内壁表面以及石墨基底的表面均层叠设置有碳化钽涂层；向所述反应腔室通入硅源气体1s-30s，再向所述反应腔室通入混合气体1s-30s，循环上述步骤直至形成第一缓冲层，其中，所述硅源气体的流量为50sccm-300sccm，所述混合气体包括碳源和N2，所述混合气体的流量为15sccm-100sccm，所述碳源的流量为7sccm-40sccm，所述N2的流量为8sccm-60sccm，所述第一缓冲层的厚度为30nm-200nm，N掺杂浓度为5E17cm-3-2E19cm-3之间，循环上述步骤直至形成第一缓冲层的步骤中的温度为1400℃-1600℃；向所述反应腔室同时通入所述硅源气体和所述混合气体，在所述第一缓冲层的表面形成第二缓冲层，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的总厚度为1μm-1.2μm；在所述第二缓冲层的表面形成外延层并对所述外延层进行N掺杂，得到N型SiC外延片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江求是半导体设备有限公司 N型SiC外延片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号