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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种IGBT器件的制备方法，包括：提供一衬底，其中，衬底内和衬底上已制备IGBT的正面结构，对衬底的背面进行减薄处理；对衬底背面进行N型离子倾斜注入工艺以形成场截止层；对衬底的背面进行P型离子注入工艺，以形成P型重掺杂层；形成背面金属层。本申请通过在形成场截止层的离子注入工艺中，根据实际衬底参数表现，调整离子注入角度以到达匹配衬底的导通阻抗水平的目的，从而改善高导通阻抗衬底在产品中偏高的状况，提高产品在不同衬底条件下的器件特性的稳定性和一致性。
主权项：1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并采用IGBT正面工艺在衬底内和衬底上制备出IGBT的正面结构；在所述正面结构上形成正面保护层；对衬底的背面进行减薄处理；从衬底的背面对所述衬底进行N型倾斜离子注入工艺以形成场截止层；从衬底的背面对所述衬底进行P型离子注入工艺，以形成P型重掺杂层；以及形成背面金属层，所述背面金属层覆盖所述P型重掺杂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 IGBT器件的制备方法
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