申请/专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院

申请日：2024-03-22

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118299419A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要：本发明提供一种横向功率半导体器件，包括第二掺杂类型的衬底、第一掺杂类型的漂移区、第二掺杂类型的第一体区、第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区、第二掺杂类型的第二体区。在硅表面有介质层，该介质层内设置源电极、栅电极、栅氧化层、硅化物阻挡层结构、场板下方二氧化硅介质层、场板下方低K介质层、漏电极。场板下方低K介质层的介电系数较低，其等效氧化层厚度更厚，降低了其上方的源场板的电场调制效应。改变源场板下方介质层材料，还可提高硅表面电场，增大器件耐压，改变栅极下方局部介质层材料，降低热载流子注入效应。本发明可优化器件表面电场，增大器件耐压，降低热载流子注入效应，提高器件可靠性，增大器件安全工作区。

主权项：1.一种横向功率半导体器件，其特征在于包括：第二掺杂类型衬底1，第二掺杂类型衬底1上有第一掺杂类型漂移区2和第二掺杂类型第一体区3，第一掺杂类型漂移区2内有第一掺杂类型漏区6，第二掺杂类型第一体区3内有第一掺杂类型源区5和第二掺杂类型第二体区4；在第一掺杂类型漂移区2表面有金属与硅表面之间的介质层14，金属与硅表面之间的介质层14内设置源电极7、栅电极8、栅氧化层9、硅化物阻挡层SAB结构10、场板下方二氧化硅介质层11、场板下方低K介质层12、漏电极13；所述栅电极8和栅氧化层9位于源电极7右侧，栅电极8位于栅氧化层9上方，硅化物阻挡层SAB结构10位于栅电极8和栅氧化层9右侧，硅化物阻挡层SAB结构10下面为场板下方二氧化硅介质层11和场板下方低K介质层12，场板下方低K介质层12位于场板下方二氧化硅介质层11右侧，漏电极13位于硅化物阻挡层SAB结构10右侧；场板下方二氧化硅介质层11淀积硅氧化物，场板下方低K介质层12淀积低K材料，场板下方低K介质层12的等效氧化层厚度EOT比场板下方二氧化硅介质层11的等效氧化层厚度EOT更厚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 电子科技大学广东电子信息工程研究院 一种横向功率半导体器件

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