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低功率高速缓存 

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申请/专利权人:超威半导体公司

摘要:一种高速缓存包括上行端口、用于存储高速缓存行的高速缓存存储器以及高速缓存控制器,每个高速缓存行具有行宽。该高速缓存控制器耦接到该上行端口和该高速缓存存储器。该上行端口传送具有小于该行宽的传送宽度的数据字。响应于高速缓存行填充,该高速缓存控制器选择性地确定用于具有该传送宽度的数据字序列的数据总线反转信息,并且将该数据总线反转信息连同用于该高速缓存行填充的选择的反转数据字存储在该高速缓存存储器中。

主权项:1.一种高速缓存,所述高速缓存包括:上行端口;高速缓存存储器,所述高速缓存存储器用于存储各自具有行宽的高速缓存行;以及高速缓存控制器,所述高速缓存控制器耦接到所述上行端口和所述高速缓存存储器,其中所述上行端口传送具有小于所述行宽的传送宽度的数据字,其中响应于高速缓存行填充,所述高速缓存控制器选择性地确定用于具有所述传送宽度的数据字序列的数据总线反转信息,并且将所述数据总线反转信息连同用于所述高速缓存器行填充的选择的反转数据字存储在所述高速缓存存储器中。

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