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申请/专利权人：晶成半导体股份有限公司
申请日：2024-01-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299487A
主分类号：H01L33/44
分类号：H01L33/44
优先权：["20230104 TW 112200043"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种光电半导体元件，包括：叠层结构，包括顶表面、第一半导体层、第二半导体层及主动区位于第一半导体层及第二半导体层之间；第一绝缘结构，覆盖叠层结构且具有第一上表面及侧壁，其中第一上表面与叠层结构的顶表面齐平或低于顶表面；以及第二绝缘结构，覆盖第一绝缘结构的第一上表面与侧壁及叠层结构的顶表面，其中第一绝缘结构直接接触第二绝缘结构。
主权项：1.一种光电半导体元件，包括：叠层结构，包括顶表面、第一半导体层、第二半导体层及主动区位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；第一绝缘结构，覆盖该叠层结构且具有第一上表面及侧壁，其中该第一上表面与该叠层结构的该顶表面齐平或低于该顶表面；以及第二绝缘结构，覆盖该第一绝缘结构的该第一上表面与该侧壁及该叠层结构的该顶表面，其中该第一绝缘结构直接接触该第二绝缘结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶成半导体股份有限公司 光电半导体元件
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皖公网安备 34010402703815号