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申请/专利权人：优志旺电机株式会社
摘要：在峰值发光波长为1000nm以上的红外LED元件中相比于以往提高单位LED元件的光输出。红外LED元件具备：第一LED层叠体，包含第一导电型的第一覆盖层、第一发光层和第二导电型的第二覆盖层；隧道结用层叠体，配置于第一LED层叠体的上层；第二LED层叠体，配置于隧道结用层叠体的上层，包含第一导电型的第三覆盖层、第二发光层和第二导电型的第四覆盖层。隧道结用层叠体包含与第二覆盖层相比第二导电型的掺杂剂浓度为高浓度的第一隧道层和与第三覆盖层相比第一导电型的掺杂剂浓度为高浓度且与第一隧道层之间形成隧道结的第二隧道层。第一发光层、第二发光层、第一隧道层及第二隧道层由能够相对于InP单晶进行晶格匹配的材料构成。
主权项：1.一种红外LED元件，其峰值发光波长为1000nm以上，其特征在于，所述红外LED元件具备：第一LED层叠体，包含第一导电型的第一覆盖层、配置于所述第一覆盖层的上层的第一发光层和配置于所述第一发光层的上层且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二覆盖层，所述第一导电型是p型或n型；隧道结用层叠体，配置于所述第一LED层叠体的上层；以及第二LED层叠体，配置于所述隧道结用层叠体的上层，包含所述第一导电型的第三覆盖层、配置于所述第三覆盖层的上层的第二发光层和配置于所述第二发光层的上层的所述第二导电型的第四覆盖层；所述隧道结用层叠体包含：第一隧道层，配置于所述第二覆盖层的上层，且与所述第二覆盖层相比所述第二导电型的掺杂剂浓度为高浓度；以及第二隧道层，配置于所述第一隧道层的上层且所述第三覆盖层的下层，与所述第三覆盖层相比所述第一导电型的掺杂剂浓度为高浓度，且在与所述第一隧道层之间形成隧道结；所述第一发光层、所述第二发光层、所述第一隧道层及所述第二隧道层由能够相对于InP单晶进行晶格匹配的材料构成。
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