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申请/专利权人：原子能与替代能源委员会
摘要：本发明涉及一种光电器件300，包括：‑形成PN结的第一半导体层101和第二半导体层105、以及布置在第二层的和第一层相对的表面上并且与第二层的和第一层相对的表面接触的第三导电层107的垂直堆叠；‑穿过第三层107和第二层105的外围沟槽110，所述沟槽侧向界定第三层107的一部分和第二层105的一部分；‑在所述沟槽110中的与第三层107的所述部分的侧部边缘接触的导电间隔物301；以及‑在所述沟槽110中的绝缘导电栅极113，111，该绝缘导电栅极抵靠导电间隔物301的侧部边缘并抵靠第二层的所述部分的侧部边缘延伸。
主权项：1.一种光电器件（300），包括：-第一导电类型的第一掺杂半导体层（101）、与所述第一掺杂半导体层一起形成PN结的第二导电类型的第二掺杂半导体层（105）、以及布置在所述第二掺杂半导体层的和所述第一掺杂半导体层相对的表面上并与第二掺杂半导体层的和第一掺杂半导体层相对的表面接触的第三导电层（107）的垂直堆叠；-穿过所述第三导电层（107）和第二掺杂半导体层（105）的外围沟槽（110），所述沟槽侧向界定所述第三导电层（107）的一部分和所述第二掺杂半导体层（105）的一部分；-在所述沟槽（110）中的与第三导电层（107）的所述部分的侧向侧部接触的导电间隔物（301），所述导电间隔物（301）由第四导电层制成，仅覆盖了所述沟槽（110）的侧向侧部；以及-在所述沟槽（110）中的绝缘导电栅极（113，111），所述绝缘导电栅极包括：栅极绝缘体层（111），所述栅极绝缘体层在导电间隔物（301）的顶部上延伸并与导电间隔物（301）的侧向侧部接触，并且在所述第二掺杂半导体层的所述部分的侧向侧部上延伸并且与所述第二掺杂半导体层的所述部分的侧向侧部接触；以及导电栅极层（113），所述导电栅极层被布置在所述栅极绝缘体层（111）的与所述导电间隔物（301）相对并与所述第二掺杂半导体层的所述部分相对的表面上并且与所述表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 原子能与替代能源委员会 具有PN结的光电器件
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