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申请/专利权人：觉芯电子(无锡)有限公司
摘要：本发明涉及半导体的生产及制造的技术领域，具体涉及一种光电探测器的制备方法及光电探测器。在量子点薄膜上通过原子层沉积将金属氧化物沉积形成缓冲层，由于原子层沉积技术具有独特的表面化学生长原理、亚纳米膜厚的精确控制性以及优异的三维共性沉积等特点，通过原子层沉积技术对缓冲层的厚度和均匀性进行有效控制，从而能够得到的预期厚度和高均匀性的金属氧化物薄膜即缓冲层。由此，能够优化电子传输层或空穴传输层的界面缺陷，尤其是降低第一量子点薄膜与金属电极的直接接触而产生的“分流复合”的影响，减少开路电压和填充因子的损失，使光电探测器具有更优的光电性。
主权项：1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：在玻璃基底上选择性形成电子传输层和空穴传输层中的一者；在所述电子传输层和所述空穴传输层中的一者上形成第一量子点薄膜；在所述第一量子点薄膜上通过原子层沉积形成金属氧化物薄膜作为缓冲层；在所述缓冲层上选择性形成所述电子传输层和所述空穴传输层中的另一者。
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百度查询： 觉芯电子(无锡)有限公司 光电探测器的制备方法及光电探测器
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