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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118282177A
主分类号：H02M1/08
分类号：H02M1/08;H02M1/32
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明公开了一种提高GaN器件栅可靠性的栅极反向串联二极管GaN器件、驱动电路，该器件中稳压二极管的阳极与GaN器件的栅极连接，通过将稳压二极管反向串联在GaN器件的栅极，器件开通时所需的驱动电压会先经过稳压二极管，将稳压二极管击穿打通，然后再达到GaN器件的栅极，从而使栅击穿电压在原来的基础上有所提升。此外，包含上述栅极反向串联二极管GaN器件的驱动电路，通过缓解GaN器件的栅压振荡，提高了GaN的栅极可靠性。
主权项：1.一种提高GaN器件栅可靠性的栅极反向串联二极管GaN器件，其特征在于，包括：GaN器件和稳压二极管，其中，所述稳压二极管的阳极与所述GaN器件的栅极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 提高GaN器件栅可靠性的栅极反向串联二极管GaN器件、驱动电路
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