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申请/专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
摘要：提出一种半导体激光二极管100，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列2，所述半导体层序列具有有源层3，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向93延伸的至少一个有源区域5中产生光8；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层4，其中所述半导体层序列在竖直方向92上以上侧20终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域21和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向91上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域22，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件10，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。
主权项：1.一种半导体激光二极管100，具有-沿竖直方向生长的半导体层序列2，所述半导体层序列具有有源层3，所述有源层设计和设置成在操作中在沿纵向方向93延伸的至少一个有源区域5中产生光8；以及-在所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层4，其中，-所述半导体层序列在竖直方向92上以上侧20终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域之上的接触区域21和在垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向91上直接连接到所述接触区域的至少一个覆盖区域22，-所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，-所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上，-存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件10，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖，并且-限定所述有源区域的所述至少一个元件10具有构成在所述上侧的所述接触区域中的脊部9，所述脊部通过透明导电的接触层形成，所述透明导电的接触层通过透明导电氧化物形成，其中，所述透明导电的接触层具有第一TCO，而所述覆盖层具有与第一TCO不同的第二TCO。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗光电半导体有限公司 半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法
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