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申请/专利权人：诺瓦尔德股份有限公司

摘要：本发明涉及一种有机发光二极管、用于制备其的方法和包含其的显示器件或照明器件，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。

主权项：1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层和电子传输层叠层；其中-所述电子传输层叠层布置在所述发光层与所述阴极之间；-所述电子传输层叠层包含第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层；-所述第二电子传输层布置在所述第一电子传输层与所述第三电子传输层之间并分别与所述第一电子传输层和所述第三电子传输层直接接触；-所述第一电子传输层布置得比所述第三电子传输层更靠近所述发光层；-所述第三电子传输层布置得比所述第一电子传输层更靠近所述阴极；-所述第一电子传输层包含式I化合物Ar1-Aca-XbI；-a和b独立地为1或2；-c独立地为0或1；-Ar1独立地选自C6至C60芳基或C2至C42杂芳基，-其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，优选为O，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；-其中Ar1上的每个C6至C12芳基取代基和Ar1上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；-A独立地选自C6至C30芳基，-其中每个A可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，优选为O，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；-其中A上的每个C6至C12芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；-X独立地选自C2至C42杂芳基和C6至C60芳基，-其中每个X可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，优选为O，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；-其中X上的每个C6至C12芳基取代基和X上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；-所述式I化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D；-所述第二电子传输层包含式I化合物和式II化合物Ar2m-Zk-GnII；-m和n独立地为1或2；-k独立地为0、1或2；-Ar2独立地选自C2至C42杂芳基和C6至C60芳基，-其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，优选为O，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；-其中Ar2上的每个C6至C12芳基取代基和Ar2上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；-Z独立地选自C6至C30芳基，-其中每个Z可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，优选为O，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基；-其中Z上的每个C6至C12芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代；-选择G以使得化合物G-苯基的偶极矩为≥1D且≤7D；-所述第三电子传输层包含所述式II化合物；-所述式I化合物和所述式II化合物在结构上彼此不同；-所述第一电子传输层不包含在所述第三电子传输层中所含的所述式II化合物；并且-所述第三电子传输层不包含在所述第一电子传输层中所含的所述式I化合物；-所述第一电子传输层和所述第二电子传输层不含电掺杂剂。

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百度查询： 诺瓦尔德股份有限公司 有机发光二极管、其制备方法和包含其的器件