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发光二极管芯片 

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申请/专利权人:厦门三安光电有限公司

摘要:本申请公开了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括半导体堆叠层和绝缘层;绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层;绝缘层具有台阶结构,台阶结构包括由第一绝缘层形成的第一台阶和由第二绝缘层形成的第二台阶,在水平方向上第一台阶超出第二台阶。本申请中绝缘层至少由第一绝缘层和第二绝缘层形成,其能够避免绝缘层出现裂缝或者整层断裂,提高绝缘层的可靠性。并且第一绝缘层在水平方向上超出第二绝缘层预定长度,则该超出部分能够在后续第二结构层形成在绝缘层上时起到缓冲作用,减小第二结构层内部所产生的应力,避免第二结构层在应力作用下出现裂缝或者整层断裂,提高发光二极管芯片的可靠性。

主权项:1.一种发光二极管芯片,具有半导体堆叠层、透明导电层和绝缘层,其特征在于,所述绝缘层形成于所述透明导电层之上,所述绝缘层至少包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上表面的第二绝缘层;所述绝缘层开设有贯穿绝缘层的通孔,所述通孔内具有第二结构层,所述通孔的至少一个侧壁配置为台阶结构;所述台阶结构包括由所述第一绝缘层形成的第一台阶和由所述第二绝缘层形成的第二台阶;所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度,且所述第二绝缘层的厚度等于或大于1μm,所述第一绝缘层的厚度为30nm~200nm或400nm~1000nm;所述第一台阶在第一平面的正投影覆盖所述第二台阶在所述第一平面的正投影,所述第一台阶的侧面与水平方向之间的角度α1小于所述第二台阶的侧面与水平方向之间的角度α2;其中,所述第一平面为所述第一绝缘层的上表面所在的平面。

全文数据:

权利要求:

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