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申请/专利权人：厦门吉顺芯微电子有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231481A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.09#实质审查的生效;2024.06.21#公开
摘要：本发明属于电子元器件领域，具体涉及一种具有浅槽结构的MOS肖特基整流器及其制造方法。所述MOS肖特基整流器包括整流器基体，所述整流器基体包括衬底，在衬底上表面依次形成的外延层、栅氧化层、多晶硅层和氧化物层，依次贯穿氧化物层、多晶硅层和栅氧化层并自外延层上表面延伸至其内部的若干沟槽；所述整流器基体的位于沟槽一侧的表面上依次具有势垒金属层和金属层；所述外延层位于沟槽外壁和栅氧化层的连接处设置有第一导电类型掺杂区域，所述外延层位于第一导电类型掺杂区域处以及沟槽底部处设置有第二导电类型掺杂区域。本发明通过引入MOS沟槽结构有效提高了整流器的反向击穿电压，降低了反向漏电流，同时有效降低了整流器的正向导通电压。
主权项：1.一种具有浅槽结构的MOS肖特基整流器，其特征在于，所述MOS肖特基整流器包括整流器基体，所述整流器基体包括衬底，形成于所述衬底上表面的外延层，形成于所述外延层上表面的栅氧化层，形成于所述栅氧化层上表面的多晶硅层，形成于所述多晶硅层上表面的氧化物层，依次贯穿氧化物层、多晶硅层和栅氧化层并自外延层上表面延伸至其内部的若干沟槽，所述沟槽自外延层上表面延伸至其底部的深度为0.1-0.3μm；所述整流器基体的位于沟槽一侧的表面上具有势垒金属层，所述势垒金属层上表面具有金属层；所述外延层位于沟槽外壁和栅氧化层的连接处设置有第一导电类型掺杂区域，所述外延层位于第一导电类型掺杂区域处以及沟槽底部处设置有第二导电类型掺杂区域，所述第一导电类型掺杂区域和第二导电类型掺杂区域的上表面与所述外延层的上表面齐平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门吉顺芯微电子有限公司 一种具有浅槽结构的MOS肖特基整流器及其制造方法
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