龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日：2022-12-29
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280814A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/336;H01L29/78;H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的制备方法及SRAM单元，其中所述MOS晶体管的制备方法包括以下步骤：提供一硅晶圆；对硅晶圆执行清洗工艺；形成第一氧化层于所述硅晶圆上；形成第二氧化层于第一氧化层上，第一氧化层和第二氧化层构成栅氧层；对形成有栅氧层的硅晶圆执行清洗工艺；形成栅极结构于栅氧层上；对栅极结构执行快速氧化工艺，以氧化栅极结构的表面，获得MOS晶体管。本发明提供的MOS晶体管的制备方法能够在改善SRAM良率的同时，保证器件性能良好。
主权项：1.一种MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅晶圆；对所述硅晶圆执行清洗工艺；形成第一氧化层于所述硅晶圆上；形成第二氧化层于所述第一氧化层上，所述第一氧化层和第二氧化层构成栅氧层；对形成有栅氧层的所述硅晶圆执行清洗工艺；形成栅极结构于所述栅氧层上；对所述栅极结构执行快速氧化工艺，以氧化所述栅极结构的表面，获得MOS晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 MOS晶体管的制备方法及SRAM单元
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号