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申请/专利权人：河南省科学院集成电路研究所;黄河电子科技有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118275782A
主分类号：G01R27/26
分类号：G01R27/26
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明提出了一种测量MOS电容的电容值的电路。该电路包括：充放电路径，被配置为在第一控制信号和或第二控制信号的控制下，对MOS电容进行充电或放电以产生指示MOS电容两端电压差的电容电压，其中，以第一恒定电流对MOS电容充电或放电；比较器，与充放电路径耦合，被配置为对基准电压和电容电压进行比较并产生比较结果；及延时锁相环电路，与比较器耦合，被配置为根据反相后的第一控制信号或第一控制信号与比较结果之间的相位差产生调控电压；根据调控电压在查找表中获取对应的延时时间，从而根据调控电压、延时时间、第一恒定电流计算出MOS电容的电容值。利用该电路可准确计算出MOS电容的电容值，可准确知晓MOS电容的特性和工作状态。
主权项：1.一种测量MOS电容的电容值的电路，其特征在于，所述电路包括：充放电路径，被配置为在第一控制信号和或第二控制信号的控制下，对所述MOS电容进行充电或放电以产生指示所述MOS电容两端电压差的电容电压，其中，以第一恒定电流对所述MOS电容充电或放电；比较器，与所述充放电路径耦合，被配置为对基准电压和所述电容电压进行比较并产生比较结果；及延时锁相环电路，与所述比较器耦合，被配置为根据反相后的第一控制信号与所述比较结果之间的相位差产生调控电压，或者根据所述第一控制信号与所述比较结果之间的相位差产生调控电压；其中，根据所述调控电压在查找表中获取对应的延时时间，从而根据所述调控电压、所述延时时间、所述第一恒定电流计算出所述MOS电容的电容值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南省科学院集成电路研究所 黄河电子科技有限公司 测量MOS电容的电容值的电路及方法
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