申请/专利权人:江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日:2024-05-29
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118248746A
主分类号:H01L29/872
分类号:H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.12#实质审查的生效;2024.06.25#公开
摘要:本发明属于肖特基二极管技术领域,具体涉及一种低漏电GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管,包括:衬底;设置在衬底上表面的N+GaN层,所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成;覆盖在凸台上表面的N‑GaN层;设置在N‑GaN层部分上表面、N‑GaN层侧壁、凸台侧壁、平面层部分上表面的P型GaN层;设置在N‑GaN层剩余上表面的肖特基电极;设置在平面层剩余上表面的欧姆电极;且P型GaN层与肖特基电极以及欧姆电极均不接触。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管能有效阻止侧壁的漏电通道,从而有效降低反向漏电流。
主权项:1.一种低漏电GaN肖特基二极管,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底上表面的N+GaN层,所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成;覆盖在所述凸台上表面的N-GaN层;设置在所述N-GaN层部分上表面、所述N-GaN层侧壁、所述凸台侧壁、所述平面层部分上表面的P型GaN层;设置在所述N-GaN层剩余上表面的肖特基电极;设置在所述平面层剩余上表面的欧姆电极;且所述P型GaN层与所述肖特基电极以及欧姆电极均不接触。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种低漏电GaN肖特基二极管及其制备方法
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