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申请/专利权人：桑德斯微电子器件(南京)有限公司
申请日：2022-09-28
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN115411099B
主分类号：H01L29/47
分类号：H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开
摘要：一种纯铂金势垒肖特基二极管的制备方法，首先在钼大盘上沉积一层铂金属，然后将硅片放置在钼大盘上，通过高纯氩离子轰击硅片表面，去掉硅片表面的自然氧化层，同时氩离子轰击硅片外的大盘，将大盘上的铂金属轰击后沉积到硅片表面；接着在硅片铂层表面沉积一层TiW层。沉积TiW层硅片后纯铂金势垒肖特基二极管的制备，衬底片用n+单晶硅衬底；n+单晶硅衬底产生n‑外延层；按区氧化、离子注入形成PN结，场氧化形成钝化层；光刻、腐蚀露出Si的外延层；制备肖特基势垒前表面清洗使硅片表面的足够的洁净和露出表面无工艺缺陷的硅片。
主权项：1.一种纯铂金势垒肖特基二极管的制备方法，其特征是，首先在钼大盘上沉积一层铂金属，然后将硅片放置在钼大盘上，通过高纯氩离子轰击硅片表面，同时氩离子轰击硅片外的大盘，将硅表面的自然氧化层去掉，并将大盘上的铂金属轰击后沉积到硅片表面10nm以下；溅射一层势垒保护层TiW20nm，再溅射一层铂层20-60nm；形成肖特基势垒层，硅片放入炉管中进行烧结，用于形成金属硅化物，最后形成钛钨层和正面金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑德斯微电子器件(南京)有限公司 一种纯铂金势垒肖特基二极管的制备方法
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