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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263244A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种全自对准硅化物MOS器件及ESD结构,所述全自对准硅化物MOS器件，其Drain端覆盖有镇流层；ESD电流通过镇流层注入Drain端，由Source端的流出。本发明在Drain端引入Poly电阻层，ESD电流通过Poly电阻再注入Drain端的N+，最后由Source端的N+流出，其中Poly电阻其镇流作用，使ESD电流能够更加均匀的注入器件内部，避免电流集中导致器件烧毁。为高效的利用芯片面积，本发明将Poly电阻层做成细条状，多个细条并联排布在Drain端。本发明提供的MOS器件在提高ESD自保护能力的同时，相对现有技术能节约一张SAB掩模版，避免并联ESD器件节约芯片面积。
主权项：1.一种全自对准硅化物MOS器件，其特征在于:其Drain端覆盖有镇流层；ESD电流通过镇流层注入Drain端，由Source端的流出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 全自对准硅化物MOS器件及ESD结构
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