龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280940A
主分类号：H01L23/31
分类号：H01L23/31;H01L21/56;H01L21/329;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管钝化结构及其制造方法，所述结构为层状结构，从下至上依次为衬底，外延层，氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层，和PI钝化层，其中所述氮化硅钝化层覆盖UDO+PSG氧化层上表面以及周缘，在所述氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层中形成势垒金属窗口，势垒金属层位于势垒金属窗口，并接触外延，正面电极金属层位于氮化硅及势垒金属层上层，PI钝化层设置于正面电极金属层上方，并延伸至金属上表面的周缘。采用本发明，可避免氮化硅在金属基底上，由于膨胀系数差异较大导致的开裂，也能通过调节氮化硅下方的氧化层厚度、形貌来调节钝化层形貌，以避免出现开裂等异常。同时固定氧化层中可动电荷，并隔绝水汽带来的不良影响。
主权项：1.一种肖特基二极管钝化结构，其特征在于，所述结构为层状结构，从下至上依次为衬底，外延层，氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层，和PI钝化层，其中所述氮化硅钝化层覆盖UDO+PSG氧化层上表面以及周缘，在所述氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层中形成势垒金属窗口，势垒金属层位于势垒金属窗口，并接触外延，正面电极金属层位于氮化硅及势垒金属层上层，PI钝化层设置于正面电极金属层上方，并延伸至金属上表面的周缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 一种肖特基二极管钝化结构及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号