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申请/专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263131A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种MOS晶体管制备方法及MOS晶体管，通过在带有第一沟槽的衬底表面生长氧化层，并生长第一多晶硅，其中，第一多晶硅上形成第二沟槽，且第一多晶硅的掺杂类型与衬底相同；在第一多晶硅上生长第二多晶硅，以将第二沟槽填平，其中，当第一多晶硅的掺杂类型与第二多晶硅相反；采用CMP工艺对第二多晶硅磨平，直至裸露出氧化层，并对多晶硅进行回刻，以使回刻后多晶硅的平面低于氧化层的平面，并进行退火处理；退火处理后，分别进行阱区和源极的掺杂，以形成水平的NPN结构或PNP结构，具体的，将栅极多晶硅本身形成一个栅极和源极的ESD器件，在不增大芯片面积、不增加制造成本的同时，实现保护栅极氧化物的目的。
主权项：1.一种MOS晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上刻蚀出第一沟槽；将带有第一沟槽的衬底进行热氧化处理，以在衬底表面生长氧化层，作为栅极多晶硅侧壁的介质层；在所述氧化层上生长第一多晶硅，其中，所述第一多晶硅上形成第二沟槽，当所述第一多晶硅为N型多晶硅时，则所述衬底为N型多晶硅，当所述第一多晶硅为P型多晶硅时，则所述衬底为P型多晶硅；在第一多晶硅上生长第二多晶硅，以将所述第二沟槽填平，其中，当所述第一多晶硅为N型多晶硅时，则所述第二多晶硅为P型多晶硅，当所述第一多晶硅为P型多晶硅时，则所述第二多晶硅为N型多晶硅；采用CMP工艺对所述第二多晶硅磨平，直至裸露出所述氧化层，并对所述第一多晶硅和所述第二多晶硅进行回刻，以使回刻后所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的平面低于所述氧化层的平面，并进行退火处理；退火处理后，分别进行阱区和源极的掺杂，其中，当进行阱区的掺杂时，若衬底为N型衬底时，则注入P型的杂质，若衬底为P型衬底时，则注入N型的杂质，以形成水平的NPN结构或PNP结构；在预设位置刻蚀出通孔，通过导电材料将器件接出，其中，P型多晶硅与源极电性连接，N型多晶硅与栅极电性连接，衬底与漏极电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西萨瑞微电子技术有限公司 一种MOS晶体管制备方法及MOS晶体管
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