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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日：2021-08-23
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN113921596B
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/872;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/329
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.01.28#实质审查的生效;2022.01.11#公开
摘要：本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
主权项：1.一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底层（10）；外延层（20），设置在所述衬底层（10）上，所述外延层（20）包括自下而上依次层叠设置的缓冲层（201）、导通层（202）和势垒层（203），所述势垒层（203）位于所述导通层（202）上表面的中部；阳极（30），设置在所述势垒层（203）上；阴极（40），位于所述导通层（202）上未被所述势垒层（203）覆盖的区域，所述势垒层（203）的两侧面，以及所述势垒层（203）的部分上表面，所述阴极（40）与所述势垒层（203）形成肖特基接触；所述势垒层（203）内间隔设置有若干氟注入场环（50），所述氟注入场环（50）位于所述阳极（30）和所述阴极（40）之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法
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