龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种抑制反应腔内壁多晶生长的厚外延层制备方法，包括以下步骤：1对反应腔内壁进行清洁处理，并在基座的表面沉积多晶硅；2待反应腔冷却至第一温度后，将待外延衬底载入基座；3将反应腔升温至第二温度，并在升温过程中通入H2进行吹扫烘烤；4待反应腔温度稳定后，同时通入硅源与HCl气体进行外延层生长；5降温并卸载衬底。本发明提供的厚外延层制备方法在通入硅源的同时通入HCl气体，利用HCl的刻蚀能力，在清洁反应腔内壁的同时稳定有效地避免厚外延反应腔内壁多晶生长，且外延层厚度增加也不会出现反应腔内壁多晶生长的情况，从而改善了衬底成膜质量，同时降低了维护成本，有利于大规模推广应用。
主权项：1.一种抑制反应腔内壁多晶生长的厚外延层制备方法，其特征在于，所述厚外延层制备方法包括以下步骤：1对反应腔内壁进行清洁处理，并在基座的表面沉积多晶硅；2待反应腔冷却至第一温度后，将待外延衬底载入基座；3将反应腔升温至第二温度，并在升温过程中通入H2进行吹扫烘烤；4待反应腔温度稳定后，同时通入硅源与HCl气体进行外延层生长；5降温并卸载衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江求是创芯半导体设备有限公司 一种抑制反应腔内壁多晶生长的厚外延层制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号