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摘要：本申请涉及一种多晶硅压敏电阻和压阻式传感器，其中，多晶硅压敏电阻包括多晶硅压敏电阻区、金属旁路区以及端电极；多晶硅压敏电阻区与金属旁路区至少部分交叠形成交叠区，端电极与多晶硅压敏电阻区形成欧姆接触。通过本申请中多晶硅压敏电阻区和金属旁路的混合结构的多晶硅压敏电阻，能够提高多晶硅压敏电阻的横向应变系数，解决了目前多晶硅压敏电阻的横向应变系数较低的问题，有利于压阻式传感器灵敏度的提升。
主权项：1.一种多晶硅压敏电阻，其特征在于，包括：多晶硅压敏电阻区11、金属旁路区12以及端电极13；所述多晶硅压敏电阻区11与所述金属旁路区12至少部分交叠形成交叠区14，所述端电极13与所述多晶硅压敏电阻区11形成欧姆接触。
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百度查询： 上海联影微电子科技有限公司 多晶硅压敏电阻和压阻式传感器
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