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摘要：本发明适用于微电子领域，提供了一种多晶金刚石基异质外延氧化镓薄膜，包括：依次层叠的多晶金刚石衬底1、氧化镓成核层2、至少一层镓氧酸根石墨烯层3、β‑Ga2O3外延层4。通过在多晶金刚石衬底1上堆叠氧化镓成核层2，可以起到提供氧化镓薄膜成核点和修正氧化镓薄膜中晶格的作用，以及通过在氧化镓成核层2堆叠至少一层镓氧酸根石墨烯层3，可以有效阻挡氧化镓成核层2堆砌产生的位错，以降低后续堆叠的β‑Ga2O3外延层4的位错密度，提供一个富镓氧面，以极大增加β‑Ga2O3成核的几率。基于本发明提出的技术方案，可以直接在多晶金刚石衬底1上外延生长β‑Ga2O3，并有效提高β‑Ga2O3外延层4的质量。
主权项：1.一种多晶金刚石基异质外延氧化镓薄膜，其特征在于，包括：依次层叠的多晶金刚石衬底1、氧化镓成核层2、至少一层镓氧酸根石墨烯层3、β-Ga2O3外延层4；其中，所述氧化镓成核层2和所述镓氧酸根石墨烯层3形成复合插入层。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种多晶金刚石基异质外延氧化镓薄膜及其制备方法
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