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摘要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种顶部籽晶法生长碳化硅晶体的装置及生长方法，包括：石墨坩埚、第一电阻加热器、第二电阻加热器、第三电阻加热器、感应线圈，感应线圈用于加热保温整个保温仓；第一电阻加热器、第二电阻加热器设置在石墨坩埚圆形外底面的下侧，且与石墨坩埚的外底面同旋转轴；第三电阻加热器设置在坩埚盖的上侧，且与坩埚盖的上表面平行；本发明采用在不同的位置设置不同的电阻加热器及感应线圈进行共同加热的方式，调节熔体径向温度梯度、轴向温度梯度，减少溶液包裹及自发成核的情况发生，平衡碳溶解速率、碳输运速率、碳与硅在籽晶上的生长速率，进而提高晶体生长速率，提高晶体质量。
主权项：1.一种顶部籽晶法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括：石墨坩埚1、第一电阻加热器2、第二电阻加热器3、第三电阻加热器4、感应线圈5，所述石墨坩埚1呈开口向上的圆柱槽型，所述石墨坩埚1外围环绕包围有保温仓6，所述感应线圈5环绕在所述保温仓6的外围，所述感应线圈5用于加热保温整个保温仓6；所述石墨坩埚1的顶部开口上覆盖有坩埚盖7，所述坩埚盖7上设有上下连通所述石墨坩埚1内外的盖孔8，所述盖孔8用于抽拉籽晶杆9；所述第一电阻加热器2、第二电阻加热器3设置在石墨坩埚1圆形外底面的下侧，所述第一电阻加热器2呈圆盘状，所述第二电阻加热器3呈圆环状，所述第一电阻加热器2的圆盘加热面、所述第二电阻加热器3的圆环加热面均与石墨坩埚1的外底面平行，所述第一电阻加热器2、第二电阻加热器3与石墨坩埚1的外底面同旋转轴；所述第三电阻加热器4设置在坩埚盖7的上表面处，所述第三电阻加热器4呈圆环状，所述第三电阻加热器4的环形内孔不小于盖孔8，所述第三电阻加热器4的加热圆环面与坩埚盖7的上表面平行。
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百度查询： 西安交通大学 一种顶部籽晶法生长碳化硅晶体的装置及生长方法
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