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摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统。从键合面一侧对准标识所在位置加工TSV窗口槽结构，能够从晶圆的键合面TSV窗口槽结构的位置识别晶圆背面的对准标识；由键合面一侧沉积氧化物介质，氧化物介质具有透明度，以能够从晶圆的键合面识别所述对准标识；在氧化物介质表面沉积光刻胶，刻蚀并去除刻蚀后的光刻胶；根据对准标识，对准晶圆和载体衬底，完成芯片封装。该方法基于封装对准系统实现。封装结构和封装对准系统均可以用于封装方法。光刻过程中，将光刻胶涂覆在氧化物介质层的表面，可以解决直接向TSV窗口槽中填充光刻胶，造成光刻胶填充深度过深，清洗不净的问题。
主权项：1.一种先进封装TSV标识对准封装方法，其特征在于，用于芯片的封装对准，所述芯片集成在晶圆上，所述晶圆包括键合面和与键合面相对的背面，所述封装方法包括以下步骤：S1：在晶圆的背面加工对准标识；S2：对晶圆进行开窗处理，所述开窗处理的步骤包括：在晶圆键合面加工TSV窗口槽，该TSV窗口槽对准晶圆背面对准标识所在位置；TSV窗口槽结构的深度被配置为，能够从该晶圆的键合面一侧识别该晶圆背面的对准标识；S3：在晶圆的键合面一侧沉积氧化物介质层，所述氧化物介质层具有透明度，以能够从该晶圆的键合面一侧识别该晶圆背面的对准标识；S4：在晶圆氧化物介质层表面沉积光刻胶层，进行曝光、显影、刻蚀处理，其中显影处理过程中，去除曝光后的光刻胶；S5：提供待封装基底，根据对准标识的位置，调整晶圆相对待封装基底的位置至对准，并完成芯片的封装。
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百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统
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