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摘要：本发明公开了一种SiGe异质结工艺集成自对准双极晶体管的方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在第二集电极区中形成SiGe异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；在第一集电极区形成第一发射极窗口，在第二集电极区形成第二发射极窗口，沿第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成选择性注入区；在第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成多晶硅发射极区。本发明中，在整体工艺复杂度和工艺技术难度没有明显增加的前提下，以同一个工艺流程实现SiGe异质结双极晶体管和硅基纵向结构双极晶体管的集成，工艺成本降低，加工效率提高，并有效提升工艺整体器件特性。

主权项：1.一种SiGe异质结工艺集成自对准双极晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供硅衬底，在所述硅衬底上划分至少一个第一器件区和至少一个第二器件区，并在所述第一器件区形成第一掺杂类型的第一集电极区，在所述第二器件区形成第二掺杂类型的第二集电极区，以及在每一第一集电极区和每一第二集电极区的外围分别形成一场氧隔离区；S2、形成第一介质层，并在所述第一集电极区形成注入内基区，所述注入内基区的掺杂类型与第一集电极区的掺杂类型相反；S3、形成第一多晶硅层和SiGe外延层，并刻蚀第一介质层、第一多晶硅层和SiGe外延层，在所述第二集电极区中形成SiGe异质结内基区，所述SiGe异质结内基区的掺杂类型与第二集电极区的掺杂类型相反；S4、形成第二掺杂多晶硅层，并刻蚀第二掺杂多晶硅层形成与注入内基区连接的第一外基区，以及与SiGe异质结内基区连接的第二外基区；所述第一外基区的掺杂类型与注入内基区的掺杂类型相同，所述第二外基区的掺杂类型与SiGe异质结内基区的掺杂类型相同；S5、形成第三介质层，并刻蚀所述第三介质层和第二掺杂多晶硅层，在所述第一集电极区上方形成第一发射极窗口，在所述第二集电极区上方形成第二发射极窗口；并沿第一发射极窗口进行离子注入形成第一掺杂类型的第一集电极区选择性注入区；沿第二发射极窗口进行离子注入形成第二掺杂类型的第二集电极区选择性注入区；S6、形成第三掺杂多晶硅层并刻蚀第三掺杂多晶硅层，在所述第一发射极窗口形成第一侧壁阻挡结构和第一多晶硅发射极区，在所述第二发射极窗口形成第二侧壁阻挡结构和第二多晶硅发射极区；所述第一多晶硅发射极区的掺杂类型与第一集电极区的掺杂类型相同，所述第二多晶硅发射极区的掺杂类型与第二集电极区的掺杂类型相同。

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