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摘要：本发明专利提供一种屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法，所述屏蔽栅极沟槽半导体装置，包括：一半导体本体；一外延层，形成于所述半导体本体上；至少一沟槽结构，形成于所述外延层上，通过所述沟槽结构，所述沟槽结构容纳至少一个栅极多晶硅层；其中所述沟槽结构包括一屏蔽多晶硅层和一多晶硅氧化层；一基体接触区，形成于所述外延层上；一基体，形成于所述基体接触区上；一源极接触区及一基体接触窗，分别形成于所述基体上；一源极，形成于所述基体上；一源极金属层，形成于所述源极接触区上；其中所述栅极多晶硅层与所述源极金属层之间具有一硼磷硅玻璃氧化层。
主权项：1.一种屏蔽栅极沟槽半导体装置，其特征在于，包括：一半导体本体；一外延层，形成于所述半导体本体上；至少一沟槽结构，形成于所述外延层上，通过所述沟槽结构，所述沟槽结构容纳至少一个栅极多晶硅层；其中所述沟槽结构包括一屏蔽多晶硅层和一多晶硅氧化层；一基体接触区，形成于所述外延层上；一基体，形成于所述基体接触区上；一源极接触区及一基体接触窗，分别形成于所述基体上；一源极，形成于所述基体上；一源极金属层，形成于所述源极接触区上；其中所述栅极多晶硅层与所述源极金属层之间具有一硼磷硅玻璃氧化层;将一栅极多晶硅拾取器设置在一主动区的外部边缘，且具有松散的间距尺寸，可降低寄生输出与输入的电容值;在栅极多晶硅拾取器区域上的所述栅极多晶硅层到一栅极沟槽侧壁之间间隙的大小，是由所述多晶硅氧化层边缘到栅极沟槽的间距所决定；当器件的击穿电压小于或等于30伏特时，其中所述间隙为0.1um；当器件的击穿电压大于30伏特时，其中所述间隙为0.2um-0.6um；在栅极多晶硅拾取器区域上的所述屏蔽多晶硅层和所述栅极多晶硅层之间的空隙大于0.1um；将所述屏蔽多晶硅层设置在一终端区的沟槽或一主动区的外部边缘或一主动区的中间区域。
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权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法
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