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摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET及其制造方法，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；栅极沟槽和第一导电通道，从所述外延层的表面向其内部延伸，所述栅极沟槽位于第一导电通道两侧，且相对所述第一导电通道对称分布；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述外延层隔离；第二掺杂类型的外延耗尽区，位于所述第一导电通道底部的外延层内；第二掺杂类型的体区，位于所述栅极沟槽的两侧，并与所述第一导电通道的侧壁邻接；第一掺杂类型的源区，位于所述体区内；源极电极，经由所述第一导电通道与所述外延耗尽区接触；漏极电极，在所述衬底远离所述外延层的表面与所述衬底接触。
主权项：1.一种沟槽型MOSFET，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；栅极沟槽和第一导电通道，从所述外延层的表面向其内部延伸，所述栅极沟槽位于所述第一导电通道两侧，且相对所述第一导电通道对称分布；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述外延层隔离；第二掺杂类型的外延耗尽区，位于所述第一导电通道底部的外延层内，所述外延耗尽区采用往注入孔进行多次离子注入的方式形成，且所述外延耗尽区在垂直于外延层表面的方向上的深度大于其在平行于外延层表面的方向上的宽度；第二掺杂类型的体区，位于所述栅极沟槽的两侧，并与所述第一导电通道的侧壁邻接；第一掺杂类型的源区，位于所述体区内；源极电极，经由所述第一导电通道与所述外延耗尽区接触；漏极电极，在所述衬底远离所述外延层的表面与所述衬底接触。
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百度查询： 杭州芯迈半导体技术有限公司 一种沟槽型MOSFET及制造方法
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