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摘要：本申请公开了一种多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底内具有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽；在基底上方沉积氧化层，氧化层包括：填充第一沟槽的填充区，以及覆盖第二沟槽侧壁和底部的凹槽区；利用各向同性刻蚀工艺去除凹槽区并保留部分填充区；沉积隔离层以覆盖部分填充区和第二沟槽；利用倾角等离子体刻蚀工艺去除部分填充区上的隔离层并保留第二沟槽上的隔离层；刻蚀去除部分填充区，使得第一沟槽底部裸露；利用各向异性刻蚀工艺去除第一沟槽底部裸露的基底，使得第一沟槽的深度大于第二沟槽。通过本申请的方案，无需使用第二张光罩即可加深指定沟槽，进而降低了产品制备成本。
主权项：1.一种用于制备多尺寸沟槽的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽；在所述基底上方沉积氧化层，所述氧化层包括：填充所述第一沟槽的填充区，以及覆盖所述第二沟槽侧壁和底部的凹槽区；利用各向同性刻蚀工艺去除所述凹槽区并保留部分填充区；沉积隔离层以覆盖所述部分填充区和所述第二沟槽；利用倾角等离子体刻蚀工艺去除所述部分填充区上的隔离层并保留所述第二沟槽上的隔离层；刻蚀去除所述部分填充区，使得第一沟槽底部裸露；利用各向异性刻蚀工艺去除所述第一沟槽底部裸露的基底，使得所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶芯成(北京)科技有限公司 合肥晶合集成电路股份有限公司 多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器及其制备方法
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