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摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在牺牲层的顶部形成覆盖剩余第二沟道层的第三沟道层，第三沟道层的载流子迁移率大于第二沟道层的载流子迁移率；在基底的顶部形成横跨沟道叠层结构和第三沟道层的栅极结构，在栅极结构两侧的沟道叠层结构和第三沟道层中形成凹槽，凹槽露出沟道叠层结构和第三沟道层的侧壁；在凹槽露出的第一沟道层的侧壁形成底部源漏掺杂层，在凹槽露出的第三沟道层的侧壁形成顶部源漏掺杂层；去除栅极结构和牺牲层；在去除栅极结构和牺牲层的区域形成金属栅极结构。使金属栅极结构环绕覆盖的第一沟道层的载流子迁移率与金属栅极结构环绕覆盖的第三沟道层的载流子迁移率能够达到平衡控制。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；沟道结构层，位于所述基底的顶部，所述沟道结构层包括第一沟道层以及位于所述第一沟道层顶部的第二沟道层，所述第一沟道层和第二沟道层材料相同，沿与所述基底表面平行且与所述沟道结构层延伸方向相垂直的方向，所述第二沟道层的横向尺寸小于第一沟道层的横向尺寸，在所述基底表面的法线方向上，所述第一沟道层和第二沟道层间隔悬空设置；第三沟道层，覆盖所述第二沟道层的顶部和侧壁，所述第三沟道层的载流子迁移率大于所述第二沟道层的载流子迁移率；金属栅极结构，位于所述基底的顶部且横跨所述第三沟道层和沟道叠层结构，所述金属栅极结构环绕覆盖所述第三沟道层和第一沟道层；底部源漏掺杂层，位于所述金属栅极结构两侧的第一沟道层的侧壁；顶部源漏掺杂层，位于所述金属栅极结构两侧的第三沟道层的侧壁，且所述底部源漏掺杂层的掺杂类型与所述顶部源漏掺杂层的掺杂类型不同。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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