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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明提供一种二维半导体材料的转移方法，包括：在生长衬底上制备二维半导体材料，得到二维半导体材料生长衬底结构；旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构；保持转移环境湿度大于50％RH，将目标区域的PMMA固化胶层二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构，经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后，用氮气枪吹干，得到二维半导体材料目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移，既保证二硫化钼的转移效率，还避免褶皱和污染的引入，有效提升转移后单层二硫化钼半导体晶体管的电学性能。
主权项：1.一种二维半导体材料的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在生长衬底上沉积二维半导体材料，得到二维半导体材料生长衬底结构；步骤2、在二维半导体材料生长衬底表面旋涂PMMA，并将旋涂好PMMA的生长衬底放置在热板上加热固化，固化后的PMMA在生长衬底表面凝结为一层薄膜，即PMMA固化胶层，由此得到PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构；步骤3、保持转移环境湿度在50％RH以上，在显微镜下观察PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构，确定需要进行转移的目标区域，将该区域的PMMA固化胶层与其他区域分割开，然后用镊子将目标区域的PMMA固化胶层二维半导体材料两层结构从生长衬底夹起、并直接贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构；步骤4、将PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构在室温下静置一定时间，然后放置在常温丙酮溶液中浸泡，以去除表面的PMMA固化胶层，最后将浸泡后的PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构放入异丙醇中浸泡5min，去除残留的丙酮溶液；最后再用氮气枪吹干，得到二维半导体材料目标衬底的双层结构，完成二维半导体材料的转移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 二维半导体材料的转移方法
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