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二维半导体材料的转移方法 

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申请/专利权人:湘潭大学

摘要:本发明提供一种二维半导体材料的转移方法,包括:在生长衬底上制备二维半导体材料,得到二维半导体材料生长衬底结构;旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构;保持转移环境湿度大于50%RH,将目标区域的PMMA固化胶层二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上,得到PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构,经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后,用氮气枪吹干,得到二维半导体材料目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移,既保证二硫化钼的转移效率,还避免褶皱和污染的引入,有效提升转移后单层二硫化钼半导体晶体管的电学性能。

主权项:1.一种二维半导体材料的转移方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在生长衬底上沉积二维半导体材料,得到二维半导体材料生长衬底结构;步骤2、在二维半导体材料生长衬底表面旋涂PMMA,并将旋涂好PMMA的生长衬底放置在热板上加热固化,固化后的PMMA在生长衬底表面凝结为一层薄膜,即PMMA固化胶层,由此得到PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构;步骤3、保持转移环境湿度在50%RH以上,在显微镜下观察PMMA固化胶层二维半导体材料生长衬底的三层结构,确定需要进行转移的目标区域,将该区域的PMMA固化胶层与其他区域分割开,然后用镊子将目标区域的PMMA固化胶层二维半导体材料两层结构从生长衬底夹起、并直接贴附到目标衬底上,得到PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构;步骤4、将PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构在室温下静置一定时间,然后放置在常温丙酮溶液中浸泡,以去除表面的PMMA固化胶层,最后将浸泡后的PMMA固化胶层二维半导体材料目标衬底三层结构放入异丙醇中浸泡5min,去除残留的丙酮溶液;最后再用氮气枪吹干,得到二维半导体材料目标衬底的双层结构,完成二维半导体材料的转移。

全文数据:

权利要求:

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