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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司

摘要：本发明公开一种基于MRAM主存的混合型NVMESSD存储系统，包括应用层、控制层和存储层，应用层包括n个应用I、1个应用II和PCIE接口I，n为正整数，应用II采用共享缓存HMB，共享缓存HMB与应用I的缓存区域分离；控制层包括n+1个NameSpace管理器、PCIE接口II、NVME控制器、FTL映射管理器、内置SRAM、NAND控制器、DRAM控制器和MRAM控制器，PCIE接口II与PCIE接口相连，n+1个NameSpace管理器分别与n个应用I和1个应用II相对应，NVME控制器连接在PCIE接口II与n+1个NameSpace管理器之间。本发明结合MRAM自身的优势，有针对性的提高NVMESSD控制器随机性能及可靠性，保障数据安全。

主权项：1.一种基于MRAM主存的混合型NVMESSD存储系统，其特征在于：包括应用层、控制层和存储层，应用层包括n个应用I、1个应用II和PCIE接口I，n为正整数，应用II采用共享缓存HMB，共享缓存HMB与应用I的缓存区域分离；控制层包括n+1个NameSpace管理器、PCIE接口II、NVME控制器、FTL映射管理器、内置SRAM、NAND控制器、DRAM控制器和MRAM控制器，PCIE接口II与PCIE接口I相连，用于实现应用层与控制层的数据传输，n+1个NameSpace管理器分别与n个应用I和1个应用II相对应，NVME控制器连接在PCIE接口II与n+1个NameSpace管理器之间，NVME控制器用于处理NVME协议并将处理后的NVME协议传输至NameSpace管理器，NameSpace管理器将存储系统的用户空间进行逻辑划分，在NameSpace管理器的管理下每个应用单独进行操作，FTL映射管理器连接于NameSpace管理器与内置SRAM、NAND控制器、DRAM控制器、MRAM控制器之间，FTL映射管理器负责维护逻辑块地址LBA到存储介质物理块地址PBA的映射关系；存储层包括外置NAND、外置DRAM和外置MRAM，外置NAND与NAND控制器相连，用于存放应用I中的用户数据以及FTL映射表，外置DRAM与DRAM控制器相连，用于存放读缓冲数据、写缓冲数据、FTL映射表、FTL映射表变化量、用户数据标签、用户配置项、运行日志，外置MRAM与MRAM控制器相连，用于存放应用II中的用户数据以及关键日志信息；内置SRAM用于n个NameSpace的NVME读命令中缓存数据；在使用NANDFLASH存储区时，FTL映射管理器将映射表通过DRAM控制器放在外置DRAM中；在使用MRAM存储区时，FTL映射管理器将映射表通过PCIE接口放在上层应用层中的HMB中。

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