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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明提供了一种MRAM，该MRAM包括磁存储阵列和读电路。磁存储阵列划分有n个子区域。读电路包括读取电压输出电路、读信号采集电路、参考电路和比较电路。读取电压输出电路在读取目标磁性隧道结的逻辑状态时，向目标磁性隧道结输出恒定的读取电压。读信号采集电路在向目标磁性隧道结输出恒定的读取电压之后，采集目标磁性隧道结反馈的脉冲电流。参考电路提供n个参考电流，n个参考电流与n个子区域一一对应，每个参考电流根据其所对应子区域内所有磁性隧道结在平行态及反平行态时的阻值分布确定。比较电路根据目标磁性隧道结所在子区域对应的参考电流、与脉冲电流的大小关系，判断目标磁性隧道结的逻辑状态。提高MRAM的读窗口。
主权项：1.一种MRAM，其特征在于，包括：划分有n个子区域的磁存储阵列，每个子区域中包含有多个磁性隧道结；读电路，其包括：读取电压输出电路，用于在读取目标磁性隧道结的逻辑状态时，向所述目标磁性隧道结输出恒定的读取电压；其中，所述目标磁性隧道结位于所述n个子区域的任意一个子区域内；读信号采集电路，用于在向所述目标磁性隧道结输出恒定的读取电压之后，采集所述目标磁性隧道结反馈的脉冲电流；参考电路，用于提供n个参考电流；其中，所述n个参考电流与所述n个子区域一一对应，每个参考电流根据其所对应子区域内所有磁性隧道结在平行态及反平行态时的阻值分布确定；比较电路，用于根据所述目标磁性隧道结所在子区域对应的参考电流、与所述脉冲电流的大小关系，判断所述目标磁性隧道结的逻辑状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种MRAM
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