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申请/专利权人:华为技术有限公司;北京航空航天大学
摘要:本申请涉及一种热辅助SOT‑MRAM器件、存储阵列以及存储芯片。器件包括:顶电极、至少一个磁隧道结、写电流通道层、隔热层和衬底,所述磁隧道结包括依次堆叠的参考层、隧穿层和磁性自由层,所述写电流通道层位于所述衬底上方,所述磁隧道结位于所述写电流通道层上方,所述顶电极位于所述磁隧道结上方,所述隔热层位于以下至少一个部位:所述写电流通道层下方、处于所述写电流通道层与所述衬底之间;所述写电流通道层上方且至少处于所述磁隧道结的两侧。能够降低SOT‑MRAM的写电流和功耗,并且写电流的减小可以减小写入晶体管的面积,增大存储密度。
主权项:1.一种热辅助SOT-MRAM器件,其特征在于,包括:顶电极、至少一个磁隧道结、写电流通道层、隔热层和衬底,所述磁隧道结包括依次堆叠的参考层、隧穿层和磁性自由层,所述写电流通道层位于所述衬底上方,所述磁隧道结位于所述写电流通道层上方,所述顶电极位于所述磁隧道结上方,所述隔热层位于以下至少一个部位:所述写电流通道层下方、处于所述写电流通道层与所述衬底之间;所述写电流通道层上方且至少处于所述磁隧道结的两侧。
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权利要求:
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