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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括基材以及第一开关元件。第一开关元件位于基材的第一元件区域之中，且包括沟道区、第一栅极介电层、第一栅极层以及源极漏极区。沟道区位于第一元件区域的凹室的底部。第一栅极介电层具有第一区域和第二区域，延伸进入凹室之中，第一区域具有第一厚度；第二区域具有第二厚度，且第一厚度小于第二厚度。第一栅极层位于第一栅介电层上方。源极漏极区位于基材之中，并邻接栅极介电层。
主权项：1.一种半导体结构，包括:基材；以及第一开关元件，位于该基材的第一元件区域之中，包括:沟道区，位于该第一元件区域的凹室的底部；第一栅极介电层，具有第一区域和第二区域，延伸进入该凹室之中，该第一区域具有第一厚度；该第二区域具有第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度；第一栅极层，位于该第一栅介电层上方；以及源极漏极区，位于该基材之中，并邻接该栅极介电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制作方法
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