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申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要：本发明公开了一种氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括磷酸、氧化硅蚀刻抑制剂、氮化钛蚀刻抑制剂、硅烷偶联剂、表面氮化硅活性剂和水。本发明所述的蚀刻液可实现氮化硅膜层与氮化钛膜层的蚀刻选择比的调控，通过合成添加剂抑制氧化硅膜层的蚀刻，延长蚀刻寿命。
主权项：1.一种适用于氮化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括如下原料：80.0-88.0％质量含量的磷酸；0.25-0.5％质量含量的氧化硅蚀刻抑制剂；0.5-1.0％质量含量的硅烷偶联剂；0.02-0.05％质量含量的表面活性剂；余量为去离子水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅蚀刻液
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